[发明专利]形成器件下互连结构的方法有效
| 申请号： | 201480008705.6 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN105190875B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | P·莫罗;D·尼尔森;M·C·韦伯;K·俊;I-S·孙 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/12 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了形成器件下微电子互连结构的方法。这些方法和结构可以包括：在第一衬底中形成器件层，在第二衬底中形成至少一个布线层，并且随后耦合第一衬底与第二衬底，其中，将第一衬底接合到第二衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 器件 互连 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成结构的方法，包括：/n在第一衬底中形成至少一个布线层；/n在第二衬底中形成器件层；以及/n耦合所述第一衬底与所述第二衬底，其中，将所述第一衬底接合到所述第二衬底，/n其中，通过位于所述结构的一侧上的凸块来传输I/O信号，并且通过位于所述结构的另一侧上的凸块来传输V
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480008705.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
