[发明专利]具有可变电容的三端半导体器件有效
| 申请号： | 201480008732.3 | 申请日： | 2014-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN105190894B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | R·杜塔 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L27/08;H01L29/93;H01L29/94 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了用于实现可变(例如，可调谐)3端电容器件的方法和装置。在各实施例中，彼此间隔开的垂直控制柱在具有与控制柱的极性相反的极性的阱中延伸。控制柱按平行于深沟槽栅极与阱拾取区但在深沟槽栅极与阱拾取区之间延伸的一行来安排。通过改变施加到控制柱的电压，柱周围耗尽区的大小可变化，从而造成沟槽栅极与连接到阱拾取区的拾取端之间的电容的变化。控制柱的一般垂直的性质便于控制大范围的电压，同时允许使用常见半导体制造步骤进行制造，使得器件易于与其他半导体器件一起实现在芯片上。 | ||
| 搜索关键词： | 控制柱 阱拾取区 深沟槽 半导体制造步骤 半导体器件 方法和装置 三端半导体 垂直控制 电容器件 沟槽栅极 极性相反 可变电容 允许使用 垂直的 耗尽区 可调谐 电容 可变 延伸 拾取 平行 芯片 施加 制造 | ||
【主权项】：
1.一种可调谐电容器，包括：基板；由所述基板支撑的沟槽栅极，所述沟槽栅极具有第一深度且在第一方向上延伸；第一极性的第一阱，所述第一阱在所述第一方向上与所述沟槽栅极平行地延伸；与所述第一阱相邻且在所述第一方向上延伸的所述第一极性的第一阱拾取区；以及散布于所述第一极性的所述第一阱中在所述沟槽栅极与所述第一阱拾取区之间的第二极性的第一多个耗尽控制柱，所述第二极性与所述第一极性不同，所述第一多个耗尽控制柱各自被配置为基于施加到所述第一多个耗尽控制柱中相应一个耗尽控制柱的可变电压在所述第一阱中创建相应大小的耗尽区以控制所述沟槽栅极和所述第一阱拾取区之间电容的变化。
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