[发明专利]用于垂直磁性记录介质中的软磁性膜层的CoFe系合金和溅射靶材有效

专利信息
申请号: 201480009279.8 申请日: 2014-02-13
公开(公告)号: CN105074041B 公开(公告)日: 2018-06-01
发明(设计)人: 泽田俊之 申请(专利权)人: 山阳特殊制钢株式会社
主分类号: C22C45/04 分类号: C22C45/04;C22C45/02;C23C14/34;G11B5/667;G11B5/851
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 牛海军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了用于垂直磁性记录介质中的软磁性膜层的CoFe系合金和溅射靶材。该合金是一种用于垂直磁性记录介质中的软磁性膜层的合金,其中所述合金包含:选自Ge、Ru、Rh、Pd、Re、Os、Ir和Pt中的一种以上;选自Sc、Y、镧系元素(原子序数57至71)、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W和B中的一种以上;和余量的Co和Fe及不可避免的杂质;并且按原子%计满足全部下式(a)至(d):(a)0.1%≤TCR≤10%;(b)5%≤TAM≤25%;(c)13%≤TCR/2+TAM+TNM≤25%;和(d)0≤Fe%/(Fe%+Co%)≤0.80。
搜索关键词: 合金 垂直磁性记录介质 软磁性膜 溅射靶材 原子序数 镧系元素
【主权项】:
1.一种用于垂直磁性记录介质中的软磁性膜层的合金,其中所述合金包含:选自Ru、Rh、Pd、Re、Os、Ir和Pt中的一种以上;选自Sc、Y、镧系元素即原子序数为57至71的元素、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W和B中的一种以上;和余量的Co和Fe及不可避免的杂质;并且按原子%计满足全部下式(a)至(d):(a)0.1%≤TCR≤8%;(b)5%≤TAM≤25%;(c)13%≤TCR/2+TAM+TNM≤25%;和(d)0≤Fe%/(Fe%+Co%)≤0.80在所述式(a)至(d)中TCR=Ru%+Rh%+Pd%+Re%+Os%+Ir%+Pt%;TAM=Sc%+Y%+镧系元素的合计%+Ti%+Zr%+Hf%+V%+Nb%+Ta%+Mo%+W%+B%/2;且TNM=C%+Al%+Si%+P%+Cr%+Mn%+Ni%/3+Cu%/3+Zn%+Ga%+Sn%。
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