[发明专利]抗蚀剂图案形成方法、抗蚀剂潜像形成装置、抗蚀剂图案形成装置和抗蚀剂材料有效
| 申请号： | 201480009687.3 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN105164789B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 田川精一;大岛明博 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人大阪大学 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/38 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 庞东成,孟伟青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的抗蚀剂图案形成方法含有抗蚀剂层形成步骤(S101)，在基板(11)上形成抗蚀剂层(12)；活性化步骤(S103)，通过活性能量束的照射将所述抗蚀剂层活性化；衰减抑制步骤(S105)，对所述抗蚀剂层的活性衰减进行抑制；图案潜像形成步骤(S107)，通过潜像形成能量束的照射，在所述活性化了的抗蚀剂层上形成图案潜像；以及显影步骤(S110)，对所述抗蚀剂层进行显影。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 图案 形成 方法 抗蚀剂潜像 装置 材料 | ||
【主权项】：
一种抗蚀剂图案形成方法，含有：抗蚀剂层形成步骤，在基板上形成包含抗蚀剂组合物的抗蚀剂层，所述抗蚀剂组合物含有增感剂前驱体；活性能量束照射步骤，照射活性能量束，由所述增感剂前驱体生成增感剂；图案潜像形成步骤，通过潜像形成能量束的照射，所述增感剂反复进行在激发态与激发前状态之间的迁移，从而在所述抗蚀剂层上形成图案潜像；以及显影步骤，对形成了所述图案潜像的抗蚀剂层进行显影。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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