[发明专利]成膜方法和成膜系统有效
| 申请号： | 201480009698.1 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN105074883B | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 志村悟;岩尾文子;吉原孝介 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/31;H01L21/321;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳,吕秀平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是在表面形成有图案的基板上形成有机膜的发明，在基板上涂布有机材料，此后，对该有机材料进行热处理，在基板上形成有机膜，此后，对该有机膜进行紫外线照射处理，将该有机膜的表面除去至规定的深度，由此在基板上适当且高效地形成有机膜。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 计算机 存储 介质 系统 | ||
【主权项】：
一种成膜方法，其在表面形成有图案的基板上形成有机膜，该成膜方法的特征在于，包括：在基板上涂布有机材料的涂布处理工序；此后，对所述有机材料进行热处理，在基板上形成有机膜的热处理工序；和此后，对所述有机膜进行紫外线照射处理，将该有机膜的表面除去至规定的深度的紫外线照射工序，将所述涂布处理工序、所述热处理工序和所述紫外线照射工序分别以所述涂布处理工序、所述热处理工序和所述紫外线照射工序的顺序进行多次，至少在最后之前进行的所述紫外线照射工序中，除去所述有机膜的表面直至所述图案的表面露出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480009698.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基板处理装置
- 下一篇：用于基板边缘清洁的方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
