[发明专利]多模式腔体滤波器和为此的激励设备在审
申请号: | 201480009902.X | 申请日: | 2014-02-21 |
公开(公告)号: | CN104995790A | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
发明(设计)人: | P.B.科宁格顿;D.R.亨德里;S.J.库珀 | 申请(专利权)人: | 梅萨普莱克斯私人有限公司 |
主分类号: | H01P1/208 | 分类号: | H01P1/208 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;刘春元 |
地址: | 澳大利亚*** | 国省代码: | 澳大利亚;AU |
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摘要: | 一种多模式腔体滤波器,包括:并入电介质材料的片段的至少一个电介质谐振器主体,所述电介质材料的片段具有使得其能够支持至少第一谐振模式和至少第二大幅退化的谐振模式的形状;用于以下中的至少一个激励设备:在电介质谐振器主体的至少一个面外部但是与其紧接相邻地建立电磁场或者用于从位于电介质谐振器主体的至少一个面外部但是与其紧接相邻的电磁场提取能量,与电介质谐振器主体接触并且覆盖电介质谐振器主体的导电材料层;在电介质谐振器主体的至少一个面上:在导电材料层中的至少一个孔以用于以下中的至少一个:向电介质谐振器主体输入信号和从电介质谐振器主体输出信号,其中激励设备在至少两个维度上位于电介质谐振器主体的至少一个面的电学中心处。 | ||
搜索关键词: | 模式 滤波器 为此 激励 设备 | ||
【主权项】:
一种多模式腔体滤波器,包括:并入电介质材料的片段的第一电介质谐振器主体,所述电介质材料的片段具有使得其能够支持至少第一谐振模式和至少第二大幅退化的谐振模式的形状;并入电介质材料的片段的第二电介质谐振器主体,所述电介质材料的片段具有使得其能够支持至少一个谐振模式的形状;用于以下中的至少一个的激励设备: 在第二电介质谐振器主体的面外部但是与其紧接相邻地建立电磁场以及 从位于第二电介质谐振器主体的面外部但是与其紧接相邻的电磁场提取能量;与第一和第二电介质谐振器主体接触并且覆盖第一和第二电介质谐振器主体并且沿第一和第二电介质谐振器主体之间的界面延伸的导电材料层;以及在所述界面处的导电材料层中的至少一个孔,用于在第一电介质谐振器主体和第二电介质谐振器主体之间传递信号,其中激励设备在至少两个维度上位于针对具有比所述第一和第二谐振模式更高阶的一个或多个模式的、靠近第二电介质谐振器主体的至少一个面或在所述至少一个面上存在的电场中的零位处。
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