[发明专利]具有气隙结构的垂直耦合变压器有效
申请号: | 201480010148.1 | 申请日: | 2014-02-17 |
公开(公告)号: | CN105027236B | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | J-H·兰;C·S·罗;J·金;J·H·洪 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01F27/28 | 分类号: | H01F27/28;H01F41/04;H01L23/522;H01L49/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 亓云 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在特定实施例中,一种设备包括低损耗基板、第一电感器结构、以及气隙。该第一电感器结构在该低损耗基板与第二电感器结构之间。第一电感器结构与第二电感器结构对齐以形成变压器。气隙在第一电感器结构与第二电感器结构之间。 | ||
搜索关键词: | 有气 结构 垂直 耦合 变压器 | ||
【主权项】:
1.一种用于垂直耦合变压器的设备,包括:低损耗基板;在所述低损耗基板上形成的第一电感器结构,其中所述第一电感器结构包括第一电感器;在所述第一电感器结构上形成的介电层;在所述介电层中形成的第二电感器结构,其中所述第二电感器结构包括在所述介电层中形成的凹陷旁边的第二电感器,所述第一电感器结构与所述第二电感器结构对齐以形成变压器;以及在所述第一电感器结构与所述第二电感器结构之间形成的气隙,其中所述气隙耦合至所述凹陷。
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