[发明专利]基板上三维结构的层的含NH3等离子体氮化有效
| 申请号： | 201480010437.1 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105009259B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 特里萨·克莱默·瓜里尼;刘炜 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文提供形成含氮层的方法和设备。在一些实施方式中，方法包括把基板放到处理腔室的基板支撑件上，基板具有设置在上面的第一层；将基板加热至第一温度；和使第一层暴露于RF等离子体，RF等离子体由包括氨(NH3)的工艺气体形成，以将第一层转化成含氮层，其中等离子体具有小于约8eV的离子能量。 | ||
| 搜索关键词： | 基板上 三维 结构 nh sub 等离子体 氮化 | ||
【主权项】：
1.一种形成含氮层的方法，所述方法包括：把基板放到处理腔室的基板支撑件上，所述基板具有设置在上面的第一层；将所述基板加热至第一温度；和使所述第一层暴露于RF等离子体，所述RF等离子体由包括氨(NH3)的工艺气体形成，以将所述第一层转化成所述含氮层，其中所述RF等离子体具有小于8eV的离子能量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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