[发明专利]一种真空镀膜设备以及真空镀膜的方法有效
申请号: | 201480010790.X | 申请日: | 2014-06-12 |
公开(公告)号: | CN105339522B | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 文洁;何自坚 | 申请(专利权)人: | 深圳市大富精工有限公司 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;C23C14/12;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 518108 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种真空镀膜设备以及真空镀膜的方法,该真空镀膜设备包括气相沉积室、支架以及导气柱,支架设置于气相沉积室内且用于放置待镀膜工件,支架包括支架柱,导气柱呈中空状且在导气柱的侧壁上设置有多个第一通气孔,支架柱呈中空状且支架柱的侧壁上设置有多个第二通气孔,导气柱从所述支架柱的一端插入支架柱,支架柱嵌套设置于导气柱外侧且能够绕所述导气柱转动,引入的高分子材料裂解气体经第一通气孔和第二通气孔均匀扩散并沉积于待镀膜工件上。通过上述方式,能够有效提高真空纳米镀膜的效率以及镀膜的效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 真空镀膜 设备 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种真空镀膜设备,其特征在于,所述真空镀膜设备包括气相沉积室、降温分流挡板、支架、导气柱、磁性转动组件以及设置于所述气相沉积室外侧与所述导气柱连接的冷却塔,所述气相沉积室侧壁设有入口,所述降温分流挡板设置于所述气相沉积室内并与所述入口正对,所述支架设置于所述气相沉积室内且用于放置待镀膜工件,所述支架包括支架柱,所述导气柱呈中空状且在所述导气柱的侧壁上设置有多个第一通气孔,所述支架柱呈中空状且所述支架柱的侧壁上设置有多个第二通气孔,所述导气柱从所述支架柱的一端插入所述支架柱,所述支架柱嵌套设置于所述导气柱外侧且能够绕所述导气柱转动,所述磁性转动组件包括设置于所述气相沉积室外侧的第一旋转磁体以及设置于所述气相沉积室内侧的第二旋转磁体,所述第一旋转磁体与所述第二旋转磁体磁性耦合,所述第一旋转磁体在旋转驱动电机带动下旋转,并能够带动所述第二旋转磁体转动,进而带动所述支架柱能够绕所述导气柱转动,所述导气柱贯穿所述气相沉积室设置,所述第一旋转磁体和所述第二旋转磁体分别转动支撑于所述导气柱上且能够绕所述导气柱进行转动,所述入口用于引入高分子材料裂解气体,引入的所述高分子材料裂解气体经所述降温分流挡板冷却后扩散并均匀的分散于所述真空镀膜设备的所述气相沉积室内以沉积在所述待镀膜工件上,同时气相沉积后的残余气体经所述第一通气孔和所述第二通气孔进入所述导气柱,进一步通过所述导气柱导入到所述冷却塔中,同时所述冷却塔中装设有传感器,所述传感器用于检测所述残余气体中所述高分子材料裂解气体的含量,以根据所述残余气体中所述高分子材料裂解气体的含量调节所述入口,从而减少或增加引入所述气相沉积室的所述高分子材料裂解气体的量。
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