[发明专利]金属氧化物TFT稳定性改进在审
| 申请号： | 201480011180.1 | 申请日： | 2014-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105144391A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 元泰景;崔寿永;任东吉;朴范洙 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在此公开一种结合有氢量减少的含硅层的金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法。所述薄膜晶体管可包括基板、金属氧化物半导体层、基本不含氢的沟道接合面层以及所述沟道接合面层上形成的含硅的覆盖层。用于制造薄膜晶体管的方法可以包括：将金属氧化物半导体层沉积在基板上；激活含SiF4的沉积气体，从而形成被激活的沉积气体；将所述被激活的沉积气体递送到所述基板上，从而沉积含SiOF的沟道接合面层；以及将覆盖层沉积在所述沟道接合面层和所述金属氧化物半导体层上。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 tft 稳定性 改进 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：基板；金属氧化物半导体层，所述金属氧化物半导体层形成在所述基板表面的一部分上；沟道接合面层，所述沟道接合面层包含氟氧化硅(SiOF)，与所述金属氧化物薄膜晶体管层接触，其中所述沟道接合面层包含小于1原子百分比的氢；以及含硅的覆盖层，所述覆盖层形成在所述沟道接合面层上。
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