[发明专利]侧壁式存储器单元有效
| 申请号： | 201480011221.7 | 申请日： | 2014-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105027309B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 贾斯丁·希罗奇·萨托;博米·陈;索努·达里亚纳尼 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种侧壁式存储器单元(例如，CBRAM、ReRAM或PCM单元)，其可包含底电极(120)、界定侧壁的顶电极(132)层及布置于所述底电极层与所述顶电极层之间的电解质层(130)，使得经由所述电解质层在所述底电极与所述顶电极侧壁之间界定导电路径，其中所述底电极层相对于水平衬底大致水平延伸，且所述顶电极侧壁相对于所述水平衬底非水平延伸，使得当正偏置电压施加到所述单元时，导电路径在所述底电极与所述顶电极侧壁之间的非垂直方向(例如，大致水平方向或其它非垂直方向)中增长。 | ||
| 搜索关键词： | 侧壁 存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种用于电阻性存储器的单元，其包括：底电极；顶电极层，其界定侧壁；及电解质层，其布置于所述底电极与所述顶电极层之间，以及布置于所述底电极与所述电解质层之间的掩膜层，使得经由所述电解质层在所述底电极与所述顶电极侧壁之间界定导电路径；且其中所述底电极相对于水平衬底大致水平延伸，且所述顶电极侧壁相对于所述水平衬底非水平延伸，其中所述顶电极侧壁界定围绕所述底电极的外部周边延伸的环形形状。
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