[发明专利]氧化物层及氧化物层的制造方法、以及具备该氧化物层的电容器、半导体装置及微机电系统有效
| 申请号： | 201480011233.X | 申请日： | 2014-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN105027240B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 下田达也;德光永辅;尾上允敏;宫迫毅明 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/12;H01L21/316;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 钟守期;杨勇 |
| 地址： | 日本埼玉*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明之一的氧化物层(30)具备由铋(Bi)与铌(Nb)形成的氧化物层(可包含不可避免的杂质)。此外，氧化物层(30)具有烧绿石型结晶结构的结晶相。其结果，能够得到具备使用现有技术未曾得到的高介电常数的包括由铋(Bi)与铌(Nb)形成的氧化物的氧化物层(30)。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 制造 方法 以及 具备 电容器 半导体 装置 微机 系统 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物层，其具备仅由铋(Bi)与铌(Nb)和氧形成且可包含不可避免的杂质的氧化物层，所述氧化物层具有烧绿石型结晶结构的结晶相，在俯视所述氧化物层时，所述烧绿石型结晶结构的结晶相以粒状或岛状分布，所述烧绿石型结晶结构是与(Bi1.5 Zn0.5 )(Zn0.5 Nb1.5 )O7 相同或大致相同的结构。
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