[发明专利]导电膜、制造该导电膜的方法以及包括该导电膜的电子装置有效
申请号: | 201480011889.1 | 申请日: | 2014-03-05 |
公开(公告)号: | CN105027230B | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 许养旭;文齐庸 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 可以提供一种导电膜,该导电膜包括:基膜;形成在该基膜上的底涂层,所述底涂层具有空隙;以及形成在所述底涂层上的导电层。该导电层可以包括导体,该导体包含形成网络结构的纳米材料。 | ||
搜索关键词: | 导电膜 底涂层 导体 导电层 基膜 电子装置 纳米材料 网络结构 制造 | ||
【主权项】:
1.一种导电膜,该导电膜包括:基膜;位于所述基膜上的底涂层,所述底涂层具有多个空隙和填料粒子;以及位于所述底涂层上的导电层,所述导电层包括包含用于形成网络结构的纳米材料的导体,其中,所述导电层包括:导电区域,在该导电区域中提供了所述导体;以及非导电区域,在该非导电区域中不提供所述导体,其中,在所述底涂层的与所述导电层的所述非导电区域对应的第一部分中提供了所述多个空隙,所述导电膜还包括:在所述导电层上用于覆盖所述导体的保护涂层,其中,具有网络结构的空隙形成在所述保护涂层的与所述导电层的所述非导电区域对应的一部分中,其中,所述填料粒子包括氧化物,其中,所述氧化物包括从由氧化锆、氧化硅和氧化铁构成的组中选择的至少一种。
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