[发明专利]银合金接合线在审
| 申请号： | 201480011968.2 | 申请日： | 2014-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN105122435A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 洪性在;许永一;金载善;李钟哲;文晶琸 | 申请（专利权）人： | MK电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴胜周 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种银(Ag)合金接合线，并且更具体地，一种银合金接合线包含银(Ag)作为主要成分、约0.5重量％至约4重量％的钯(Pd)和约2重量％至约8重量％的金(Au)，其中关于所述银合金接合线长度方向上的垂直截面，外侧部分的平均晶粒尺寸a与中心部分的尺寸b的比值a/b为约0.3至约3。根据本发明的银合金接合线具有高热冲击强度、优良的SOB接合和在氮气气氛中的优异接合。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 接合 | ||
【主权项】：
一种银合金接合线，所述银合金接合线包含银(Ag)作为主要成分，含量为约0.5重量％至约4重量％的钯(Pd)和含量为约2重量％至约8重量％的金(Au)，并且其中关于垂直于所述接合线的长度方向的横截面，外侧部分的平均晶粒尺寸a与中心部分的平均晶粒尺寸b的比值a/b为约0.3至约3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
