[发明专利]用于堆栈式硅晶互连技术产物的无基板插入物技术有效
| 申请号： | 201480012979.2 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN105051896B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 权云星;苏芮戌·瑞玛林嘉;金纳胡;金重浩 | 申请（专利权）人： | 吉林克斯公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;H05K3/46;H05K3/28;H01L21/683;H01L25/065;H01L25/18;H01L21/56;H01L23/00;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 许静,安利霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于堆栈式硅晶互连技术(SSIT)产物(200)的无基板插入物(201)，其包含多个金属化层(109)，该金属化层的至少一最底层含有多个金属节段(111)，其中每一个该多个金属节段(111)是构成于该金属化层(109)的最底层的顶部表面与底部表面之间，并且该金属节段(111)是由该最底层中的介电材料(113)所分隔；以及一介电层(203)，其是经构成于该最底层的底部表面上，其中该介电层(203)含有一或更多开口以供接触于该最底层的多个金属节段(111)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 堆栈 式硅晶 互连 技术 产物 无基板 插入 | ||
【主权项】：
一种用于堆栈式硅晶互连技术(SSIT)产物的无基板插入物，其包括：多个金属化层，该金属化层的至少一最底层包括多个金属节段，其中该多个金属节段的每一个是构成于该金属化层的该最底层的顶部表面与底部表面之间，并且该多个金属节段是由该最底层中的介电材料所分隔；介电层，其是经构成于该最底层的该底部表面上，其中该介电层包括一或更多开口以供接触于该最底层中的多个金属节段的至少一些；钝化层，其具有一或更多开口，该开口在空间上是对应于该介电层处的该一或更多开口，其中该钝化层是构成于该介电层上；以及凸块下金属层，其经由该钝化层中的该一或更多开口接触于该最底层中的该多个金属节段的至少一些，该凸块下金属层构成于该最底层上且覆盖该钝化层的一部分。
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