[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201480013059.2 申请日: 2014-07-28
公开(公告)号: CN105190872B 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 竹松裕司;柳川克彦;冈本健次 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L23/31;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 熊风
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种可靠性及耐久性较高的半导体装置,所述半导体装置与使用SiC、GaN元件的半导体装置相对应,即使半导体元件的动作温度是例如175℃以上的高温,密封树脂也不容易发生热氧化劣化,能防止裂纹的产生。半导体装置(100)包括用密封材料对包含半导体元件(6)、绝缘基板(4)以及印刷基板(9)的构件进行密封而形成的成形体,所述绝缘基板(4)与所述半导体元件的一个面相接合,所述印刷基板(9)用于连接与所述半导体元件的另一个面相接合的外部电路,所述密封材料包含:第一密封材料(13),该第一密封材料(13)是包含环氧树脂主剂、固化剂及平均粒径为1~100nm的无机填充材料而构成的纳米复合树脂;以及第二密封材料(11),该第二密封材料(11)由不包含无机填充材料的热固性树脂、热塑性树脂或两者的混合物构成。
搜索关键词: 密封材料 半导体装置 半导体元件 无机填充材料 绝缘基板 印刷基板 接合 环氧树脂 纳米复合树脂 热固性树脂 热塑性树脂 密封树脂 平均粒径 外部电路 混合物 成形体 固化剂 热氧化 劣化 主剂 密封
【主权项】:
一种半导体装置,该半导体装置包括用密封材料对包含半导体元件、绝缘基板以及印刷基板的构件进行密封而形成的成形体,所述绝缘基板与所述半导体元件的一个面相接合,所述印刷基板用于连接与所述半导体元件的另一个面相接合的外部电路,所述半导体装置的特征在于,所述密封材料包含:第一密封材料,该第一密封材料是包含环氧树脂主剂、固化剂及平均粒径为1~100nm的无机填充材料而构成的纳米复合树脂;以及第二密封材料,该第二密封材料由热固性树脂、热塑性树脂或两者的混合物构成,所述第一密封材料构成第一密封层,所述第一密封层对所述半导体元件进行覆盖并设置于接近所述半导体元件的区域,所述第二密封材料构成第二密封层,所述第二密封层对所述第一密封层进行覆盖,所述第一密封层至少对在所述半导体元件动作时与所述半导体元件的最大动作温度相差25℃以内的区域进行密封。
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