[发明专利]极紫外线光刻掩模坯料制造系统及用于该制造系统的操作方法有效
| 申请号： | 201480013365.6 | 申请日： | 2014-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN105144343B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 拉尔夫·霍夫曼;卡拉·比斯利;马耶德·A·福阿德 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/02;H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种处理系统，该处理系统包括：真空腔室；多个处理系统，这些多个处理系统附接于真空腔室的周围；以及晶片传送系统，该晶片传送系统位于该真空腔室中，用于在多个处理系统之间移动晶片，而不从真空中离开。一种用于制造极紫外线坯料的物理气相沉积系统，该系统包含：靶材，该靶材包含钼、钼合金或上述两者的组合。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外线 光刻 坯料 制造 系统 用于 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理系统，所述处理系统包含：真空腔室；多个处理系统，所述多个处理系统附接在所述真空腔室的周围，所述多个处理系统用于通过可流动的化学气相沉积在晶片上沉积平坦化层，以及在所述平坦化层之上沉积覆盖层；以及晶片传送系统，所述晶片传送系统位于所述真空腔室中，用于在所述多个处理系统之间移动所述晶片而不从真空中离开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
