[发明专利]图像拾取元件和图像拾取装置有效
申请号: | 201480013396.1 | 申请日: | 2014-03-27 |
公开(公告)号: | CN105074928B | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 柳田刚志;斋藤卓;小池薰 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本公开的图像拾取元件包含包括受光部和集光部的第一像素和第二像素,所述受光部包括光电转换元件,所述集光部将入射光朝向所述受光部聚集,第一像素和第二像素彼此相邻并且在所述受光部的受光面上均具有台阶部,其中所述台阶部的侧壁的至少一部分覆盖有第一遮光部。 | ||
搜索关键词: | 图像 拾取 元件 装置 | ||
【主权项】:
1.一种图像拾取元件,包括包括受光部和集光部的第一像素和第二像素,所述受光部包括光电转换元件,所述集光部将入射光朝向所述受光部聚集,第一像素和第二像素彼此相邻并且在所述受光部的受光面上均具有台阶部,所述第二像素的所述受光面形成在比所述第一像素的所述受光面低一个等级的位置处,其中所述台阶部的壁面的至少一部分覆盖有第一遮光部,所述台阶部填充有有机膜,并且所述第二像素在所述受光部和所述集光部之间包括遮挡所述受光面的一部分的第二遮光部,且所述第二像素的入射光聚集在与所述第二遮光部的深度位置相同的深度位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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