[发明专利]通过聚合物管理提高蚀刻系统的生产率

摘要

本文所述的多个实施方式大体涉及用于减少半导体处理腔室中聚合物沉积的装置与方法。提供了加热器外壳与多个热源，该加热器外壳与多个热源可被配置成保持该处理腔室的均匀温度剖面。还提供了一种保持该处理腔室介电顶板的均匀温度剖面的方法。

主权项

一种用于处理基板的装置，所述装置包括：介电顶板，所述介电顶板具有经粗糙化的表面；传导主体，所述传导主体连接至所述介电顶板，所述传导主体设置在绝热器中，所述传导主体具有第一部分；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述传导主体中，连接至所述传导主体的所述介电顶板界定所述基板支撑件之上的内部区域，并且所述基板支撑件被所述传导主体限定；泵送口，所述泵送口从所述传导主体的第二部分形成并侧向耦接至所述传导主体的所述第二部分，并且所述泵送口与所述内部区域流体连通，来自所述传导主体所述第二部分的所述泵送口设置在加热器外壳中，所述加热器外壳具有设置在所述加热器外壳中的多个加热元件，这些加热元件被配置成将所述泵送口保持在介于80℃与130℃之间的温度下；以及多个热源，这些热源被配置成保持所述介电顶板的均匀温度剖面。