[发明专利]多沟道晶体管有效
| 申请号： | 201480013532.7 | 申请日： | 2014-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105247680B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 格雷戈里·布宁;塔玛拉·巴克什特 | 申请（专利权）人： | VISIC科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/417;H01L21/768;H01L29/423;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;陈鹏 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 以色列;IL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种场效应晶体管(FET)，包括多个实质上平行的导电沟道(252，254)和至少一个导电插塞(209)，该插塞贯穿多个导电沟道中的至少两个并且与所述多个导电沟道中的至少两个形成欧姆连接。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：由势垒分离的第一2DEG电流沟道和第二2DEG电流沟道；和至少一个导电插塞，贯穿第一2DEG和第二2DEG，并且与第一2DEG和第二2DEG形成欧姆连接，所述至少一个导电插塞位于场效应晶体管的源极和漏极之间，以将所述第一2DEG电流沟道的非中断的部分电气地耦合至第二2DEG电流沟道的非中断的部分，所述第一2DEG电流沟道具有沟道导电性中断的区域，所述沟道导电性中断的区域包括物理中断或功能性中断；所述至少一个导电插塞包括插塞阵列，所述插塞阵列的导电插塞被彼此均匀地间隔开，所述插塞阵列包括位于与沟槽的一侧的距离实质上固定的位置处的均匀地间隔开的一行插塞；所述场效应晶体管包括位于所述漏极和所述沟道导电性中断的区域之间的至少一个插塞、以及位于所述源极和所述沟道导电性中断的区域之间的至少一个插塞。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于VISIC科技有限公司，未经VISIC科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480013532.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包封薄膜和使用该包封薄膜包封有机电子装置的方法
- 下一篇：碳掺杂半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
