[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种能防止因负电压浪涌引起的高侧栅极驱动电路的误动作的半导体装置。在成为半导体层的p型块状基板(101)和第1电位(GND电位)之间连接有二极管(128)，从成为第1半导体区域的n扩散区域(102)中形成的控制电路(136)通过第1电平下拉电路(139)及第1电平上拉电路(140)向成为第2半导体区域的n扩散区域(103)中形成的高侧栅极驱动电路(137)传输信号，从而能防止因负电压浪涌引起的高侧栅极驱动电路(137)的误动作。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：第1导电型的半导体层；第2导电型的第1半导体区域及第2半导体区域，该第2导电型的第1半导体区域及第2半导体区域配置于所述半导体层的表面层或所述半导体层上，并在该第2导电型的第1半导体区域及第2半导体区域与该半导体层之间分别形成有第1寄生二极管及第2寄生二极管；控制电路，该控制电路配置于所述第1半导体区域；栅极驱动电路，该栅极驱动电路配置于所述第2半导体区域的表面层；第1二极管，该第1二极管配置在通过所述第2寄生二极管的、供由负浪涌电压产生的浪涌电流流动的浪涌电流路径上，相对于浪涌电流具有反向特性；以及电平移位电路，该电平移位电路将由所述控制电路输出的第1栅极控制信号输出到所述栅极驱动电路。