[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法有效
| 申请号： | 201480014154.4 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105009312B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | K.施密特克;I.施托尔;T.阿尔布雷希特;M.克莱因 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/50;H01L33/00;H01L33/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 卢江;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括载体（10）、半导体层序列（20）、连接层（30）、转换元件（40）的光电子器件，该半导体层序列被设置用于发射电磁一次辐射并且被布置在载体（10）上，其中半导体层序列（20）具有背向载体（10）的辐射主侧，该连接层直接地至少被施加在半导体层序列（20）的辐射主侧（21）上，该转换元件被设置用于发射电磁二次辐射并且直接被布置在连接层（30）上，其中转换元件（40）被成形为预制体，其中连接层（30）具有至少一个嵌入在基质材料（32）中的无机的填充物（31），其中连接层（30）以小于或等于2μm的层厚来成形，其中预制体借助连接层（30）固定在半导体层序列（20）上，其中连接层（30）被设置用于滤出电磁一次辐射的短波分量。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.光电子器件，包括：－载体（10），－半导体层序列（20），所述半导体层序列被设置用于发射具有由UV或蓝色波长范围构成的波长的电磁一次辐射并且被布置在所述载体（10）上，其中所述半导体层序列（20）具有背向所述载体（10）的辐射主侧（21），－连接层（30），所述连接层直接地至少被施加在半导体层序列（20）的辐射主侧（21）上，－转换元件（40），所述转换元件被设置用于发射电磁二次辐射并且直接被布置在所述连接层（30）上，其中所述转换元件（40）被成形为预制体，－其中所述连接层（30）具有至少一种嵌入在基质材料（32）中的无机的填充物（31），所述填充物由二氧化钛（TiO2 ）或氧化锌（ZnO）构成，－其中所述连接层（30）以小于或等于2μm的层厚来成形，－其中所述预制体借助连接层（30）来固定在半导体层序列（20）上，－其中所述连接层（30）被设置用于滤出电磁一次辐射的短波分量，所述短波分量具有315nm至380nm的波长，其中所述连接层（30）具有相应于所述无机的填充物（31）的颗粒的最大直径的层厚，其中所述连接层（30）没有转换材料，使得所述连接层（30）具有将转换元件（40）与半导体层序列（20）连接以及滤出电磁一次辐射的具有315nm至380nm波长的短波分量的功能，使得所述转换元件（40）被保护免受破坏或分解。
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