[发明专利]共享位线的串架构有效
| 申请号： | 201480014482.4 | 申请日： | 2014-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN105051825B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 薛钟善;李承皮;金光虎;湍·潘姆 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/24;G11C7/18;G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了使用共享位线的串架构对存储器单元进行编程和读取的方法。在一些实施例中，存储器单元和选择器件可以与包括电荷存储层的晶体管对应。在一些情况下，电荷存储层可以是导电的或不导电的(例如，在SONOS器件中使用的氮化硅层)。在一些实施例中，选择配对的串中的第一串中的存储器单元可以包括：将SEO晶体管设置成导通状态，以及将控制漏极侧选择晶体管的SGD线设置成下述电压，该电压大于与第一串的第一漏极侧选择晶体管关联的第一阈值电压并且小于与配对的串中的第二串的第二漏极侧选择晶体管关联的第二阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 共享 架构 | ||
【主权项】：
1.一种用于操作共享位线的串架构的方法，包括：将选择偶数/奇数串晶体管设置成导通状态，所述选择偶数/奇数串晶体管连接在第一串和第二串之间，所述第一串包括具有第一阈值电压的第一选择晶体管，所述第二串包括具有大于所述第一阈值电压的第二阈值电压的第二选择晶体管，所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管被漏极侧选择线控制，所述第一串包括存储器单元，所述第二选择晶体管包括直接连接至共享位线的漏极，所述选择偶数/奇数串晶体管连接至所述共享位线和所述第一选择晶体管；将所述漏极侧选择线设置为大于所述第一阈值电压并小于所述第二阈值电压的电压；以及在将所述选择偶数/奇数串晶体管设置成导通状态之后，对所述存储器单元执行操作。
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