[发明专利]用于过电压事件保护的设备及方法有效
| 申请号： | 201480014787.5 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN105051821B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·戴维斯;迈克尔·谢纳 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示例如那些用于保护电路免受静电放电事件影响的电路、集成电路、设备及方法。一种实例设备包括晶闸管，其耦合到节点且经配置以限制电压且使与在所述节点处的过电压事件相关联的电流放电。所述过电压事件包含具有超过所述晶闸管的触发电压的量值的负电压。所述实例设备进一步包括晶体管，其耦合到所述晶闸管且经配置以调整所述触发电压的所述量值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 过电压 事件 保护 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于过电压事件保护的设备，其包括：晶闸管，其耦合到节点且经配置以使与在所述节点处的过电压事件相关联的电流放电，其中所述过电压事件包含具有超过所述晶闸管的触发电压的量值的负电压；第一晶体管，其耦合到所述晶闸管且经配置以调整所述触发电压的所述量值；及第二晶体管，其耦合到所述第一晶体管，其中所述第二晶体管是与所述第一晶体管合并的横向双极结型晶体管BJT，且其中所述第一晶体管和所述第二晶体管共享至少两个导电区域。
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