[发明专利]在通过间隔物蚀刻技术形成的沟槽中形成栅栏导体

摘要

间隔物蚀刻工艺在多个半导体裸片中产生超窄导电线。在第一电介质(212)中形成沟槽，接着将牺牲膜(222)沉积到所述第一电介质及形成于其中的沟槽表面上。从所述第一电介质的面及所述沟槽的底部移除平面牺牲膜，从而仅留下在沟槽壁上的牺牲膜(222a)。用第二电介质(212a)填充所述沟槽壁上的所述牺牲膜之间的间隙。移除所述第二电介质的一部分以暴露所述牺牲膜的顶部。移除所述牺牲膜，从而留下用导电材料(218b)填充的超细间隙。暴露所述间隙中的所述导电材料的顶部以形成“栅栏导体”。在适当位置处移除所述栅栏导体的部分及周围绝缘材料以产生包括经隔离栅栏导体的所要导体图案。

主权项

一种用于在半导体集成电路裸片中形成栅栏导体的方法，所述方法包括以下步骤：将第一电介质沉积在半导体衬底的一面上；在所述第一电介质中形成至少一个沟槽；将牺牲膜沉积在所述第一电介质上，包含沉积在所述至少一个沟槽的壁及底部上；从所述第一电介质的一面及所述至少一个沟槽的所述底部移除所述牺牲膜的部分，其中牺牲膜仅保留在所述至少一个沟槽的所述壁上；将第二电介质沉积在所述至少一个沟槽的所述壁上的所述牺牲膜之间；移除所述第一电介质及所述第二电介质直到在所述第一电介质与所述第二电介质之间暴露所述牺牲膜的顶部部分为止；移除所述第一电介质与所述第二电介质之间的所述牺牲膜，从而在其中留下至少两个窄沟道；将导电材料沉积在所述第一电介质及所述第二电介质的所述面上并沉积到所述至少两个窄沟道中；及移除所述导电材料的在所述第一电介质及所述第二电介质的所述面上的部分直到仅在所述至少两个窄沟道中暴露所述导电材料的顶部为止。