[发明专利]具有包含InGaN的有源区的半导体发光结构体及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体结构体，其包含位于多个InGaN层之间的有源区。所述有源区至少基本由InGaN组成。所述多个InGaN层包含至少一个包含In_wGa_1-wN的阱层以及临近所述至少一个阱层的至少一个包含In_bGa_1-bN的势垒层。在某些实施方式中，所述阱层的In_wGa_1-wN中的w值可以大于或等于约0.10且小于或等于约0.40，在某些实施方式中，所述至少一个势垒层的In_bGa_1-bN中的b值可以大于或等于约0.01且小于或等于约0.10。本发明还涉及一种形成半导体结构体的方法，该方法包括生长上述InGaN层以形成如LED等发光器件的有源区。本发明还涉及照明器件，其包含上述LED。

主权项

一种半导体结构体，其包含：In_nGa_1‑nN基体层，所述In_nGa_1‑nN基体层具有生长平面晶格参数大于约3.2埃的极性生长平面；设置在所述基体层上的有源区，所述有源区包含多个InGaN层，所述多个InGaN层包含至少一个In_wGa_1‑wN阱层和至少一个In_bGa_1‑bN势垒层，其中0.10≤w≤0.40，0.01≤b≤0.10；设置在所述有源区与所述In_nGa_1‑nN基体层相对的一侧上的电子阻挡层；设置在所述电子阻挡层上的p‑型主体层，所述p‑型主体层包含In_pGa_1‑pN，其中0.00≤p≤0.08；和设置在所述p‑型主体层上的p‑型接触层，所述p‑型接触层包含In_cGa_1‑cN，其中0.00≤c≤0.10。