[发明专利]等离子体CVD装置及等离子体CVD方法

摘要

本发明是一种等离子体CVD装置，其包括真空容器、和在真空容器内的等离子体CVD电极单元和基材保持机构，所述等离子体CVD电极单元包括阳极；阴极，其与所述阳极隔开间隔地对置；第一气体供给喷嘴，其以气体通过所述阳极和阴极之间的等离子体生成空间的方式供给气体，基材保持机构配置于通过等离子体生成空间后的气体所触碰的位置，阳极在气体供给方向上的长度及阴极在气体供给方向上的长度均比阳极和阴极之间的距离长。根据本发明，提供一种能提高气体的分解效率、实现高成膜速度的等离子体CVD装置。

主权项

一种等离子体CVD装置，包括：真空容器，和在所述真空容器内的等离子体CVD电极单元和基材保持机构，所述等离子体CVD电极单元包括：2个相对的阳极；阴极，其以在由所述2个相对的阳极所夹持的空间内与各个阳极隔开间隔的方式配置；第一气体供给喷嘴，其以气体通过所述2个阳极和阴极之间的等离子体生成空间的方式供给气体，所述基材保持机构配置于通过所述等离子体生成空间后的气体所触碰的位置，所述阳极和所述阴极以大致平行的方式配置，所述阳极在气体供给方向上的长度及所述阴极在气体供给方向上的长度均比阳极和阴极之间的距离长，所述阳极与所述基材保持机构之间的最短距离、及所述阴极与所述基材保持机构之间的最短距离均为50mm以上且200mm以下。