[发明专利]用于转盘处理腔室的具有刚性板的大气盖在审
| 申请号： | 201480015790.9 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN105051860A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | J·约德伏斯基;K·格里芬 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 揭示包括盖组件的处理腔室，该盖组件在注入器组件之上形成空间，以减少该注入器组件由于该注入器组件的处理侧与该注入器组件的大气侧之间的压力差所导致的偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 转盘 处理 具有 刚性 大气 | ||
【主权项】：
一种处理腔室，包括：腔室主体，所述腔室主体包括底壁和侧壁；基座组件，所述基座组件在所述腔室主体中，用于支撑多个基板并使所述多个基板围绕中心轴旋转，所述基座组件具有顶表面；注入器组件，所述注入器组件被定位在所述基座组件之上并且具有后表面和前表面，所述前表面面向所述基座组件的顶表面并限定处理空间，所述注入器组件的外周边缘将所述注入器组件支撑在所述腔室主体的侧壁上；以及腔室盖，所述腔室盖包括顶壁和侧壁，所述侧壁可连接至所述腔室主体侧壁，所述注入器组件的顶表面以及所述腔室盖顶壁和侧壁限定盖空间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480015790.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
