[发明专利]用于旋转压板式ALD腔室的等离子体源有效
申请号: | 201480015817.4 | 申请日: | 2014-03-14 |
公开(公告)号: | CN105051866B | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | J·C·福斯特;J·约德伏斯基 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/203;H01L21/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了基板处理腔室以及用于处理多个基板的方法,并且所述基板处理腔室大体包括电感耦合的饼形等离子体源,所述电感耦合的饼形等离子体源定位成使得在压板上旋转的基板将穿过与所述等离子体源相邻的等离子体区域。 | ||
搜索关键词: | 用于 旋转 压板 ald 等离子体 | ||
【主权项】:
1.一种处理腔室,所述处理腔室包括:至少一个电感耦合的饼形等离子体源,所述至少一个电感耦合的饼形等离子体源沿弧形路径被定位在所述处理腔室中,以便在与所述等离子体源相邻的等离子体区域中生成电感耦合等离子体,所述饼形等离子体源在内周边缘处具有狭窄的宽度,并在外周边缘处具有较大的宽度,所述饼形等离子体源包括在所述电感耦合等离子体源内的多个导电棒,所述多个导电棒与所述饼形等离子体源的径向壁成角度地延伸,所述电感耦合等离子体在狭窄的内周边缘与较宽的外周边缘之间具有基本上均匀的等离子体密度;以及基板支撑装置,所述基板支撑装置在所述处理腔室内,所述基板支撑装置可绕所述处理腔室的中心轴旋转,以使至少一个基板沿与所述至少一个饼形等离子体源相邻的所述弧形路径移动,其中,相比在所述外周边缘处,朝向所述饼形等离子体源的所述内周边缘,导电棒的密集度更大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造