[发明专利]互补金属氧化物半导体(CMOS)超声换能器及其形成方法

摘要

描述了互补金属氧化物半导体(CMOS)超声换能器(CUT)及用于形成CUT的方法。CUT可以包括单片集成的超声换能器和用于与该换能器一起工作的集成电路。CUT可以用在超声装置，例如，超声成像装置和/或高强度聚焦超声(HIFU)装置中。

主权项

一种CMOS超声换能器，包括：半导体晶片，半导体晶片具有互补金属氧化物半导体集成电路；电极；绝缘材料，所述绝缘材料具有至少一部分地形成在所述绝缘材料中的腔；导电层，所述导电层与所述绝缘材料接触，将所述腔密封并且具有靠近所述腔的第一侧和远离所述腔的第二侧，其中，所述电极、所述腔以及所述导电层一起至少部分地限定了超声换能器，其中所述腔在所述电极与所述导电层之间；电接触部，所述电接触部将所述电极耦接至所述互补金属氧化物半导体集成电路；以及导电填塞物，所述导电填塞物嵌入所述绝缘材料中，并且在所述导电层的靠近所述腔的所述第一侧上终止而不延伸过所述导电层，使得所述导电填塞物的表面与所述导电层的所述第一侧键合，其中所述导电填塞物将所述导电层电连接至所述互补金属氧化物半导体集成电路，以及其中，所述电极与所述导电填塞物彼此电隔离。