[发明专利]具有双向开关特性的双端子开关元件和电阻存储交叉点阵列有效
| 申请号： | 201480016707.X | 申请日： | 2014-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN105144383B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 洪镇杓;裵闰喆;A·R·李;白光昊 | 申请（专利权）人： | 汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/12;H01L29/70;H01L21/329;H01L27/22;H01L45/00;H01L21/77 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张海涛;于辉<国际申请>=PCT/KR2 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 所提供的是具有双向开关特性的双端子开关元件、包括其的电阻存储交叉点阵列、及制造该双端子开关元件和交叉点电阻存储阵列的方法。所述双端子开关元件包括第一电极和第二电极。提供了分别与第一电极和第二电极电连接的一对第一导电型金属氧化物半导体层。第二导电型金属氧化物半导体层被布置在第一导电型金属氧化物半导体层之间。因此，所述双端子开关元件能够显示对称的和双向的开关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双向 开关 特性 端子 元件 包括 电阻 存储 交叉 点阵 以及 制造 交叉点 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.双端子开关元件，包括：/n第一电极；/n第二电极；/n电连接到第一电极和第二电极上的一对第一导电型金属氧化物半导体层；和/n布置在第一导电型金属氧化物半导体层之间的第二导电型金属氧化物半导体层，/n其中所述第二导电型金属氧化物半导体层的厚度是1-5nm，以便在第一电极和第二电极之间施加绝对值大于阈值电压的电压时，在整个第二导电型金属氧化物半导体层形成耗尽层，/n第一导电型金属氧化物半导体和第二导电型金属氧化物半导体中任何一个是P-型金属氧化物半导体且另一个是N-型金属氧化物半导体，/n并且所述P-型金属氧化物半导体包括CoOx，1.3<x≤1.5。/n
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