[发明专利]放置台及等离子体处理装置有效
申请号: | 201480017103.7 | 申请日: | 2014-03-26 |
公开(公告)号: | CN105051871B | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 出村健介 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 周善来;王玉玲 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明是一种放置台及等离子体处理装置,在放置通过还原性自由基来进行处理的被处理基板的放置台中,所述放置台包括:在俯视时被所述被处理基板所覆盖的放置面;及邻接于所述放置面的非放置面,所述非放置面的至少一部分的表面被不与还原性自由基发生还原反应的材料所覆盖。 | ||
搜索关键词: | 放置台 等离子体处理装置 还原性自由基 被处理基板 放置面 还原反应 邻接 覆盖 俯视 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理装置,其特征在于,具备:处理容器,能够维持低于大气压的气氛;放置台,设置在所述处理容器内,用于放置由还原性自由基进行处理的被处理基板;等离子体发生部,具有等离子体发生区域和气体供给部,所述气体供给部向所述等离子体发生区域导入还原性气体;及开口部,设置在比所述放置台靠上方,将气体供给到所述处理容器内,所述气体包含由所述等离子体发生部产生的还原性自由基,所述放置台具备:在俯视时被所述被处理基板所覆盖的放置面;邻接于所述放置面、未被所述被处理基板覆盖并与含有还原性自由基的气体碰撞的非放置面;及放置部,所述放置部在所述处理中,以从所述放置面突出而在所述被处理基板的背面与所述放置面之间形成间隔的方式保持所述被处理基板,在所述被处理基板被放置在所述放置部时,所述非放置面位于比所述被处理基板的处理面靠下方,所述放置面及所述非放置面的表面由与还原性自由基不发生还原反应且抑制还原性自由基失去活性的材料所覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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