[发明专利]用于半导体的多价光催化非均质材料有效
| 申请号： | 201480017897.7 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN105163847B | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 伊坎巴拉姆·山姆班登;张彬 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | B01J23/00 | 分类号： | B01J23/00;B01J23/72;H01L31/0264 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 杨宏军,牛蔚然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述了非均质材料，其包含p型半导体，其包含处于两种不同氧化态的相同金属的两种金属氧化物化合物；和n型半导体，其具有比p型半导体价带更深的价带，其中半导体型相互离子连通。所述非均质材料增强光催化活性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 光催化 非均质 材料 | ||
【主权项】：
非均质材料，其包含p型半导体，其包含第一金属氧化物化合物和第二金属氧化物化合物，其中所述第一金属氧化物化合物和所述第二金属氧化物化合物具有相同金属的不同氧化态，且其中所述p型半导体具有p型价带；和n型半导体，其具有比p型价带更深的n型价带，其中所述n型半导体与所述p型半导体处于离子电荷连通，其中，所述p型半导体包含铜(I)和铜(II)，所述p型半导体包含CuxO，所述n型半导体包含Sn‑Ti(O,C,N)2。
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