[发明专利]底层填充材料、密封片材及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201480018225.8 | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN105074904A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 盛田浩介;高本尚英 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;B32B27/00;C09J7/02;C09J201/00;C09K3/10;H01L21/301;H01L21/304;H01L21/60;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可缓和半导体元件与被粘物的热响应行为之差且用于安装半导体元件的对位简单的底部填充材料及具备其的密封片材、以及使用该底部填充材料的半导体装置的制造方法。关于本发明的底部填充材料，热固化处理前的雾度为70％以下，且在175℃下经1小时热固化处理后的储能弹性模量E'[MPa]及热膨胀系数α[ppm/K]在25℃下满足下述式(1)。10000＜E'×α＜250000[Pa/K]…(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 底层 填充 材料 密封 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种底部填充材料，其热固化处理前的雾度为70％以下，且在175℃下经1小时热固化处理后的储能弹性模量E'[MPa]及热膨胀系数α[ppm/K]在25℃下满足下述式(1)，10000＜E'×α＜250000[Pa/K] (1)。
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