[发明专利]八元氧环沸石膜、沸石膜的制造方法、以及八元氧环沸石膜的评价方法有效
申请号: | 201480019436.3 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN105121346B | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 谷岛健二;萩尾健史;宫原诚;内川哲哉;犬饲直子;市川真纪子 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | C01B39/48 | 分类号: | C01B39/48;B01D69/10;B01D69/12;B01D71/02 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 李晓 |
地址: | 日本国爱知县名*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供可制造缺陷少的沸石膜的沸石膜制造方法、缺陷少的八元氧环沸石膜、以及可以评价缺陷的八元氧环沸石膜的评价方法。在多孔体的表面附着沸石晶种前,作为前处理,将多孔体在氧存在下进行400℃以上的加热处理,加热处理后在湿度30%以上的环境下保存12小时以上,然后,使沸石晶种附着于多孔体,制造沸石膜。将多孔体加热处理而制造的八元氧环沸石膜,其CF4的透过速度除以CO2的透过速度得到的值在0.015以下,缺陷较少。 | ||
搜索关键词: | 八元氧环沸石膜 沸石膜 制造 方法 以及 评价 | ||
【主权项】:
1.一种八元氧环沸石膜,其CF4的透过速度除以CO2的透过速度得到的值在0.015以下,所述八元氧环沸石膜为DDR型沸石膜或AEI型沸石膜,所述八元氧环沸石膜通过如下制造方法制造:所述在多孔体的表面附着沸石晶种前,作为前处理,将所述多孔体在氧存在下进行400℃以上的加热处理,在所述加热处理后,将所述多孔体在湿度30%以上的环境下保存12小时以上,然后,使所述沸石晶种附着于所述多孔体。
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