[发明专利]在基底上沉积原子层的方法和装置有效
申请号: | 201480019869.9 | 申请日: | 2014-02-06 |
公开(公告)号: | CN105102676B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 雷蒙德·雅各布斯·W·克纳彭;R·奥利斯拉格斯;丹尼斯·范登贝尔赫;马泰斯·C·范登布尔;弗雷迪·罗泽博姆 | 申请(专利权)人: | 荷兰应用自然科学研究组织TNO |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;H01L21/314;C23C16/54 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 吕艳英;张颖玲 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种实施原子层沉积的方法。该方法包括使用包括一个或多个气体供应器的沉积头,向基底供应前体气体,且该一个或多个气体供应器包括前体气体供应器。前体气体靠近该基底的表面反应,用以形成原子层。沉积头具有包括气体供应器的输出面,且在沉积原子层时该输出面至少部分地面向该基底表面。输出面大体上为圆形,界定基底的移动路径。前体气体供应器在供应该前体气体时通过旋转该沉积头相对该基底移动,用以在一个方向连续地移动时沉积原子层的叠层。基底的表面利用气体轴承保持不与该输出面接触。 | ||
搜索关键词: | 基底 沉积 原子 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种在基底上实施原子层沉积的方法,该方法包括:使用沉积头向基底供应前体气体,所述沉积头包括一个或多个气体供应器,且该一个或多个气体供应器包括用于供应所述前体气体的前体气体供应器;使所述前体气体靠近所述基底的表面,例如,在所述基底的表面上反应以形成原子层,所述沉积头具有输出面,该输出面在沉积所述原子层时至少部分地面向所述基底的表面,所述输出面提供有一个或多个气体供应器且大体上为圆形,该圆形界定所述基底的移动路径,其中所述方法进一步包括:在供应所述前体气体的同时,通过旋转所述沉积头使所述前体气体供应器相对于所述基底并且沿着所述基底移动;因此在以一个方向连续地移动所述前体气体供应器时沉积原子层的叠层,其中该方法在通过使用该一个或多个气体供应器提供的气体轴承保持所述基底的表面不与输出面接触时实施,且其中,所述方法包括使用引导单元引导所述基底至移动路径或由该移动路径引导所述基底中的至少一个,该引导单元用于弯曲该基底使所述基底的表面在外弯曲侧,并且在所述引导时,通过使用与所述引导单元连接且与所述输出面相对的基于压力的牵引单元牵引所述基底远离所述输出面,用以防止所述基底的表面与靠近所述引导单元的输出面间的接触。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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