[发明专利]氮化镓器件和集成电路中的隔离结构有效
| 申请号： | 201480020252.9 | 申请日： | 2014-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN105359275B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 周春华;曹建军;亚力山大·利道;R·比奇;阿兰娜·纳卡塔;罗伯特·斯特里马特;赵广元;塞沙德里·科卢里;马艳萍;刘芳昌;蒋明坤;曹佳丽 | 申请（专利权）人： | 宜普电源转换公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种集成半导体器件包括基板层、配置在基板层上的缓冲层、配置在缓冲层上的氮化镓层和配置在氮化镓层上的阻挡层。另外，用于多个晶体管器件的多个欧姆接触是形成在阻挡层上。具体地，用于第一晶体管器件的多个第一欧姆接触是形成在阻挡层的表面的第一部分上，而用于第二晶体管器件的多个第二欧姆接触是形成在阻挡层的表面的第二部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 器件 集成电路 中的 隔离 结构 | ||
【主权项】：
1.集成半导体器件，包括：缓冲层，配置在基板层上；氮化镓层，配置在所述缓冲层上；阻挡层，配置在所述氮化镓层上；用于第一晶体管器件的多个第一器件接触，形成在所述阻挡层的暴露表面的第一部分上；用于第二晶体管器件的多个第二器件接触，形成在所述阻挡层的所述暴露表面的第二部分上；至少一栅极结构，形成在所述阻挡的所述表面的第三部分，其中所述栅极结构配置在所述多个第一器件接触和所述多个第二器件接触之间；以及所述栅极结构分别与所述第一晶体管器件的源极接触和所述第二晶体管器件的源极接触之间的空间，其中所述栅极结构和所述空间形成所述集成半导体器件的隔离区域，其从所述第二晶体管器件电性地隔离所述第一晶体管器件。
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