[发明专利]具备HEMT即高电子迁移率晶体管的半导体装置有效
| 申请号： | 201480020350.2 | 申请日： | 2014-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN105144356B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 小山和博 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/336;H01L29/41;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 高迪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置具有常断型的HEMT，该常断型的HEMT具备第1半导体层(4)；第2半导体层(3)，与所述第1半导体层形成异质结，生成第1二维电子气层(6a)；栅槽(7)，形成于所述第1半导体层；绝缘膜(8)，配置于所述栅槽的壁面；以及栅极电极(9)，配置在所述绝缘膜上。所述栅槽的底面侧的宽度窄于开口部侧的宽度。所述栅极电极沿所述栅槽的侧面配置。在对所述栅极电极施加栅极电压时，在所述第2半导体层中，第2二维电子气层(6b)与所述第1二维电子气层的一部分重叠地被生成。 | ||
| 搜索关键词： | 具备 hemt 电子 迁移率 晶体管 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有常断型的HEMT即高电子迁移率晶体管，该常断型的HEMT具备：第1半导体层(4)；第2半导体层(3)，与所述第1半导体层形成异质结，生成基于异质结的第1二维电子气层(6a)；栅槽(7)，形成于所述第1半导体层；绝缘膜(8)，配置于所述栅槽的壁面；以及栅极电极(9)，配置在所述绝缘膜上；所述栅槽的底面侧的宽度窄于开口部侧的宽度，所述栅极电极沿所述栅槽的侧面配置，在对所述栅极电极施加了规定阈值以上的栅极电压时，在所述第2半导体层中，基于所述栅极电压的第2二维电子气层(6b)以与所述第1二维电子气层的一部分重叠的状态被生成，所述栅槽为如下阶梯状：所述栅槽的开口部侧的一部分栅槽的宽度为开口部的宽度且一定，所述栅槽的底部侧的另一部分栅槽的宽度为底面的宽度且一定，所述阶梯状的构造相对于所述栅槽的底部设置在两侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
