[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201480020406.4 申请日: 2014-05-12
公开(公告)号: CN105103289B 公开(公告)日: 2018-08-24
发明(设计)人: 堀尾真史;仲村秀世;仲野逸人;池田良成 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 王颖;金玉兰
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种在半导体芯片的栅电极与源电极之间连接电路阻抗降低元件,从而具有电流旁路效果的半导体装置。具备:绝缘基板(3),具有绝缘板和电路板;半导体芯片(4),在正面具有栅电极和源电极;印刷基板(5),具有第一金属层和第二金属层,并且与上述绝缘基板(3)对置;第一导电柱(8),电连接且机械连接到上述栅电极和第一金属层;第二导电柱(9),电连接且机械连接到上述源电极和第二金属层;以及电路阻抗降低元件(10),通过所述第一导电柱(8)和第二导电柱(9)而电连接在所述栅电极与所述源电极之间。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,具备:绝缘基板,具有绝缘板和电路板;半导体芯片,在正面具有栅电极和源电极,背面固定于所述电路板;印刷基板,具有第一金属层和第二金属层,并且与所述绝缘基板对置;第一导电柱,两端电连接且机械连接到所述栅电极和所述第一金属层;第二导电柱,两端电连接且机械连接到所述源电极和所述第二金属层;以及电路阻抗降低元件,通过所述第一导电柱和所述第二导电柱而电连接在所述栅电极与所述源电极的之间,通过所述第一金属层和所述第二金属层而电连接有所述电路阻抗降低元件,在所述第一金属层和所述第二金属层的表面电连接且机械连接有所述电路阻抗降低元件,所述半导体芯片、所述电路板以及除所述第一金属层的一部分以及所述第二金属层的一部分以外的所述印刷基板被绝缘树脂覆盖,在没有被所述绝缘树脂覆盖的所述第一金属层和所述第二金属层,电连接且机械连接有所述电路阻抗降低元件。
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