[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201480020633.7 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN105103272B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 浦野裕一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L21/28;H01L21/285;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;王颖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在制造具备在正面和背面分别具有正面电极和背面电极的半导体芯片的半导体装置时，首先，在成为半导体芯片的半导体晶片的正面形成正面电极层，进而以露出正面电极层的方式形成保护膜。接下来，磨削半导体晶片的背面。接下来，在半导体晶片的磨削后的背面的表面层，形成背面结构。接下来，用支撑基板保护半导体晶片的被磨削的背面。接下来，通过无电解镀覆处理，在半导体晶片的正面的正面电极层上形成电极镀膜。接下来，在半导体晶片的背面形成背面电极。由此，能够防止镀膜的异常析出，提高成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，是具备在正面和背面分别具有正面电极和背面电极的半导体芯片的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：正面电极层形成工序，在成为所述半导体芯片的半导体晶片的正面，形成正面电极层作为所述正面电极；保护膜形成工序，在所述正面电极层形成工序之后，在所述半导体晶片的正面以露出所述正面电极层并在所述半导体晶片的外周部残留保护膜的方式，进行保护膜的形成；薄化工序，在所述正面电极层形成工序之后，磨削所述半导体晶片的背面，使所述半导体晶片的厚度变薄；镀覆工序，在所述薄化工序之后，在所述正面电极层的表面，形成电极镀膜作为所述正面电极；和背面电极形成工序，在所述镀覆工序之后，在所述半导体晶片的磨削后的背面形成所述背面电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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