[发明专利]紫外发光器件

摘要

本发明公开了一种紫外发光器件。该发光器件包括：n型接触层，其包括GaN层；p型接触层，其包括AlGaN或AlInGaN层；以及多量子阱结构的有源区，其位于n型接触层与p型接触层之间。另外，多量子阱结构的有源区包括厚度小于2nm的GaN层或InGaN层，以发射峰值波长为340nm至360nm的紫外线。本发明的紫外发光器件能够发射波长在340nm至360nm范围内的紫外光。

主权项

1.一种发光器件，包括：n型接触层，包括GaN层；p型接触层，包括AlGaN层或AlInGaN层；具有多量子阱结构的有源区，其布置在所述n型接触层和所述p型接触层之间，其中具有所述多量子阱结构的所述有源区包括由GaN或InGaN形成的阱层，所述阱层具有小于2nm的厚度并且发射峰值波长在340nm至360nm范围内的紫外光；超晶格层，布置在所述n型接触层与所述有源区之间，所述超晶格层具有InGaN/InGaN重复层叠的结构；电子注入层，布置在所述超晶格层与所述有源区之间，其中所述电子注入层的n型杂质掺杂浓度高于所述超晶格层的n型杂质掺杂浓度；未掺杂GaN层，布置在所述n型接触层与所述超晶格层之间；以及低浓度GaN层，布置在所述未掺杂GaN层与所述超晶格层之间，其中所述低浓度GaN层具有在低于所述n型接触层的n型杂质掺杂浓度下进行掺杂的n型杂质掺杂浓度，且具有相对于未掺杂GaN层的厚度更薄的厚度。