[发明专利]切换导体器件的方法在审
| 申请号： | 201480021317.1 | 申请日： | 2014-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN105122648A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | W·克鲁克斯 | 申请（专利权）人： | 阿尔斯通技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/10 | 分类号： | H03K17/10;H03K17/16 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李静;张浴月 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本发明提供一种导通半导体器件的方法。所述半导体器件包括栅极端、集电极端和发射极端。该方法包括步骤：(i)在接收到导通信号时，施加电压到半导体器件的栅极端来将半导体器件的集电极-发射极电压降低到第一预定电压平台水平，并且保持该电压至半导体器件的栅极端以预定时间段；(ii)在预定时间段之后，控制施加到半导体器件的栅极端的电压来以变化的缓变率改变集电极-发射极电压，直到集电极-发射极电压达到预定电压水平，对施加到半导体器件的栅极端用以改变集电极-发射极电压的电压进行的这种控制包括：将集电极-发射极电压降低到第二预定电压平台水平；将集电极-发射极电压保持在第二预定电压平台水平来调节半导体器件在使用中所位于的电路中的电流的变化速率；并且将集电极-发射极电压降低到半导体器件处于其导通状态的电压水平；以及(iii)控制施加到半导体器件的栅极端的电压来将集电极-发射极电压保持在预定电压水平。 | ||
| 搜索关键词： | 切换 导体 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种导通半导体器件的方法，所述半导体器件包括栅极端、集电极端和发射极端，所述方法包括以下步骤：(i)在接收到导通信号时，施加电压到所述半导体器件的所述栅极端来将所述半导体器件的集电极‑发射极电压降低到第一预定电压平台水平，并且保持该电压至所述半导体器件的所述栅极端以预定时间段；(ii)在所述预定时间段之后，控制施加到所述半导体器件的所述栅极端的电压来以变化的缓变率改变所述集电极‑发射极电压，直到所述集电极‑发射极电压达到预定电压水平，对施加到所述半导体器件的所述栅极端用以改变所述集电极‑发射极电压的电压进行的这种控制包括：将所述集电极‑发射极电压降低到第二预定电压平台水平；将所述集电极‑发射极电压保持在第二预定电压平台水平，以调节所述半导体器件在使用中所位于的电路中的电流的变化速率；以及将所述集电极‑发射极电压降低到所述半导体器件处于其导通状态的电压水平；以及(iii)控制施加到所述半导体器件的所述栅极端的电压来将所述集电极‑发射极电压保持在所述预定电压水平。
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