[发明专利]基于同时真空蒸发工艺的CZTSE光吸收层制造方法

摘要

本发明涉及一种基于同时真空蒸发工艺来制造优质的CZTSe光吸收层薄膜的方法，该方法包括使Cu，Zn、Sn以及Se同时蒸发而蒸镀到基板的步骤(步骤a)；以及一边降低所述基板的温度一边使Zn、Sn以及Se同时蒸发而蒸镀到基板的步骤(步骤b)。本发明在高温执行同时真空蒸发工艺，然后一边降低基板的温度一边执行进一步的蒸发工艺，从而具有如下效果，即，能够解决由与高温的同时真空蒸发工艺相伴的Sn损失造成的问题。此外，通过本发明的制造方法形成的CZTSe光吸收层的膜质优异，因此还具有如下效果，即，可提高利用该CZTSe光吸收层制造的CZTSe太阳能电池的光电转换效率。

主权项

一种基于同时真空蒸发工艺的CZTSe光吸收层制造方法，通过同时真空蒸发工艺来制造CZTSe太阳能电池的光吸收层，其特征在于，包括：步骤a：使Cu、Zn、Sn以及Se同时蒸发而蒸镀到基板；紧接步骤a之后，步骤b：一边降低所述基板的温度，一边使Sn和Se同时蒸发而蒸镀到基板，其中，所述步骤b一直执行至所述基板的温度的范围为360℃到400℃为止。