[发明专利]用于使用电荷监测形成存储器单元的设备及方法有效
| 申请号： | 201480021442.2 | 申请日： | 2014-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN105122371B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 布伦特·基斯;杜莱·维莎卡·尼尔摩·拉玛斯瓦米;古尔特杰·S·桑胡;亚当·D·琼森;史考特·E·西利士;亚历山德罗·卡德罗尼 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述形成存储器单元的设备及方法。在此一种方法中，监测施加到例如电阻式RAM RRAM存储器单元的一个存储器单元的形成电荷以确定形成所述单元的进度。如果所述单元正过于缓慢地消耗电荷，那么可施加较高电压。如果所述单元正过于快速地消耗电荷，那么可施加较低电压。可通过将电容器充电到特定电平，接着监测所述电容器通过所述单元的放电速率来监测所述电荷。所述监测可使用比较器来测量所述电荷。所述监测也可使用模/数转换器来执行所述监测。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 电荷 监测 形成 存储器 单元 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于使用电荷监测形成存储器单元的方法，其包括：在首次编程电阻式存储器单元之前且与其分开的所述电阻式存储器单元的形成阶段中将电压施加到所述电阻式存储器单元；监测经由所述电压施加到所述电阻式存储器单元的形成电荷；及基于正在监测的所述形成电荷调整所述电压。
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