[发明专利]用于半导体处理应用的压力控制器配置有效
| 申请号： | 201480021529.X | 申请日： | 2014-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN105122424B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | S·G·别洛斯托茨基;A·恩古耶;J·迪恩;Y-S·林 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 示例性半导体处理系统可包含处理腔室以及与所述处理腔室耦合的第一压力调节装置。第二压力调节装置也可与处理腔室耦合，并且与第一压力调节装置分开。第一泵可与第一压力调节装置流体地耦合，并且可与第二压力调节装置流体地隔离。第二流体泵可与第二压力调节装置流体地耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 处理 应用 压力 控制器 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体处理系统，包括：处理腔室；第一压力调节装置，所述第一压力调节装置与所述处理腔室耦合，并且经配置以在第一压力范围内调节处理腔室压力，其中所述第一压力范围适用于多步骤蚀刻操作的第一部分；第二压力调节装置，所述第二压力调节装置与所述处理腔室耦合，与所述第一压力调节装置分开，并且经配置以在第二压力范围内调节处理腔室压力，其中所述第二压力范围适用于所述多步骤蚀刻操作的第二部分；第一泵，所述第一泵与所述第一压力调节装置流体地耦合，并且与所述第二压力调节装置流体地隔离；以及第二泵，所述第二泵与所述第二压力调节装置流体地耦合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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