[发明专利]化合物半导体装置以及树脂密封型半导体装置

摘要

本发明的目的在于：在具有于硅基板上外延生长而成的氮化物系半导体层的半导体元件中，抑制在通过划片分割成半导体装置时产生的源自元件端部的不良或者可靠性问题的产生。所述半导体装置在硅基板上隔着由氮化铝构成的缓冲层而形成有外延生长而成的化合物半导体层。在半导体装置的外周部，以包围半导体元件区域的方式存在划片槽。沿着划片槽，用保护氮化铝层免受湿气和水分侵害的皮膜覆盖。

主权项

1.一种化合物半导体装置，其具有：成为化合物半导体芯片的基台的芯片基板，在所述芯片基板的上方设置的氮化铝层，在所述氮化铝层的上方设置的化合物半导体层，以及在所述化合物半导体层的上表面配置的半导体元件；其中，在所述芯片基板的侧面的一部分、所述氮化铝层的侧面以及所述化合物半导体层的侧面构成连续的斜面，在所述氮化铝层的侧面形成有含有硅和铝之中的至少一种的非晶质层或者多晶层。