[发明专利]应变多层阻变存储元件有效
| 申请号： | 201480022289.5 | 申请日： | 2014-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN105264682B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 詹尼弗·L·M·鲁普;塞巴斯蒂安·施魏格尔;费利克斯·梅塞施米特 | 申请（专利权）人： | 苏黎世联邦理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 蔡胜有,苏虹 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的阻变存储元件包括第一电极；阻变元件；以及第二电极，其中该阻变元件被布置在第一电极与第二电极之间，并且该阻变元件包括多个金属氧化物层或由多个金属氧化物层组成，并且其中该阻变元件的相邻金属氧化物层包括不同金属氧化物或由不同金属氧化物组成。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 多层 存储 元件 | ||
【主权项】：
一种阻变存储元件，包括：a.第一电极；b.阻变元件；c.第二电极；其中所述阻变元件被布置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述阻变元件包括多个相邻金属氧化物层，并且所述阻变元件的相邻金属氧化物层包括不同的金属氧化物，其特征在于所述阻变元件的相邻金属氧化物层具有1％至4％的晶格失配。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏黎世联邦理工学院，未经苏黎世联邦理工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480022289.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带有安全装置的电化学设备及电化学设备用安全装置
- 下一篇：半导体装置
