[发明专利]具有单晶磷光体的白光发光二极管和生产的方法

摘要

根据本发明，具有被放置在选自InGaN、GaN或AlGaN组的芯片上的单晶磷光体的二极管包括以下事实，即单晶磷光体(21)从被被选自Ce³⁺、Ti³⁺、Cr³⁺、Eu²⁺、Sm²⁺、B³⁺、C、Gd₃⁺或Ga³⁺组的原子掺杂的LuYAG和/或YAP和/或GGAG主体创造的单晶铸锭(51)创造，单晶铸锭(51)从熔融物使用选自Czochralski、HEM、Badgasarov、Kyropoulos或EFG组的方法被生长，当Lu³⁺、Y³⁺和AL³⁺原子可以在主体中被B³⁺、Gd₃⁺或Ga³⁺原子代替高至99.9％的量时。磷光体(21)的组成和生产的方法、其的表面的处理和形状以及整个的二极管的构建确保在从二极管的InGaN芯片(13)自身朝向正在被照亮的物体的方向的已转换的光的抽取并且限制在单晶磷光体(21)和包胶剂(31)或单晶磷光体(21)和周围环境(44)的界面上的全反射效应。

主权项

一种白光发光二极管，具有置于选自InGaN、GaN或AlGaN组的芯片上的单晶磷光体，其中所述单晶磷光体(21)产生自基于掺杂有选自Ce³⁺、Ti³⁺、Cr³⁺、Eu²⁺、Sm²⁺、B³⁺、C、Gd₃⁺或Ga³⁺组的原子的LuYAG和/或YAP和/或GGAG的主体的单晶铸锭(51)，所述单晶铸锭(51)用选自Czochralski、HEM、Badgasarov、Kyropoulos或EFG组的方法自熔融物生长。