[发明专利]三维多电极阵列有效
| 申请号： | 201480023074.5 | 申请日： | 2014-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105163797B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | R·塞尼;J·N·兰达尔 | 申请（专利权）人： | 塞威实验室有限责任公司 |
| 主分类号： | A61N1/04 | 分类号： | A61N1/04;A61N1/05;A61B5/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了具有单独隔离的电极、其中每个电极都可配置用于包含目标的载体的多电极阵列以及用于制造该阵列的方法。在示例性实施例中，所述阵列包括基板；及布置在基板上的多个电极。所述多个电极中的每个电极都具有导电的尖端和绝缘的剩余部分。所述多个电极中的第一电极具有选为使第一电极的导电尖端接近第一目标结构的第一配置，并且所述多个电极中的第二电极具有选为使第二电极的导电尖端接近第二目标结构的第二配置。第一配置和第二配置是不同的。多个触点中的第一触点可以通过基板电耦合到第一电极。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 电极 阵列 | ||
【主权项】：
一种多电极阵列，所述阵列包括：基板；以及放置在基板上的多个电极，其中所述多个电极中的每个电极都具有导电的尖端和绝缘的剩余部分；其中所述多个电极中的第一电极具有选为使第一电极的导电尖端接近第一目标结构的第一配置；以及其中所述多个电极中的第二电极具有选为使第二电极的导电尖端接近第二目标结构的第二配置，第一配置具有第一电极的导电尖端的第一轮廓，并且第二配置具有第二电极的导电尖端的第二轮廓，第一轮廓和第二轮廓在形状上是不同的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于塞威实验室有限责任公司，未经塞威实验室有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480023074.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
