[发明专利]具有不同光电二极管结构的光电检测器阵列

摘要

本发明涉及一种制造具有不同光电二极管结构的光电二极管阵列的方法(100)，其包括提供(101)具有第一二极管区和第二二极管区的半导体衬底，该第一二极管区和第二二极管区包括以第一掺杂类型掺杂的底部衬底部分、本征层、以及以第二掺杂类型掺杂的顶部硅层。第二二极管区是以第二掺杂类型注入(103)的。第二二极管区表面中掺杂浓度至少为第一二极管区中掺杂浓度的三倍。顶部硅层被热氧化(104)从而形成热氧化硅层，以提供底部抗反射涂层(ARC)。第二二极管区生长的热氧化硅相比第一二极管区较厚。顶部ARC层沉积(105)在底部ARC层上。第一PD提供在第一二极管区中，且第二PD提供在第二二极管区中。

主权项

一种制造光电二极管阵列的方法，其包括：提供半导体衬底，其包括第一二极管区和第二二极管区，所述第一二极管区和第二二极管区具有以第一掺杂类型掺杂的底部衬底部分、在所述衬底部分上的本征层、和在所述本征层上以第二掺杂类型掺杂的顶部硅包含层，所述底部衬底部分提供底部二极管层，以及顶部硅包含层提供顶部二极管层，在所述第一二极管区上形成掩膜层；以所述第二掺杂类型注入所述第二二极管区，同时所述掩膜层保护所述第一二极管区从而在所述第二二极管区的表面中提供第二表面杂质浓度，该第二表面杂质浓度至少是所述第一二极管区的表面中第一表面杂质浓度的三倍；热氧化所述顶部硅包含层从而形成热氧化硅层以提供底部抗反射涂层即ARC层，其中所述第二二极管区生长的所述热氧化硅层相比所述第一二极管区上的所述热氧化硅层更厚，以及沉积折射率高于所述底部ARC层上热氧化硅的顶部ARC层，其中第一光电二极管即第一PD提供在所述第一二极管区中，且第二PD提供在所述第二二极管区中。